芯片制造是最復(fù)雜的工藝，僅僅簡單地走一遍流程就需要20多道，而真正的要制造一款手機芯片，需要幾百道，甚至是幾千道工序。這里只講一講主要的工序。芯片制造的主要流程為：清洗、預(yù)烘、涂膠、前烘、對準、曝光、顯影、豎膜、刻蝕、去膠。

1、清洗

清洗的目的就是去除金屬離子，確保晶圓無污染、無針孔、無缺陷。具體步驟如下：

1、使用強氧化劑清洗液，使晶圓表面的金屬離子溶解在清洗液中；

2、用H+去除殘留在晶圓表面的金屬離子；

3、用去離子水清洗晶圓，徹底排除清洗液。

2、預(yù)烘

晶圓清洗完畢后，要進行烘干，確保無殘留的清洗液，更有利于底膠的涂覆，并把晶圓溫度保持在80℃左右。

3、涂底膠

為了增強光刻膠與晶圓的粘附性，需要涂一層底膠，底膠涂覆的時候需要環(huán)境溫度保持在100℃左右。

4、光刻膠涂覆

光刻膠是感光樹脂、增感劑和溶劑組成的混合液體，被紫外光、電子束、X射線照射后，溶解度會發(fā)生變化。

方法：晶圓在1000℃的高溫中進行氧化，然后用涂膠機將光刻膠均勻地涂在晶圓表面。

5、前烘

前烘的目的是將光刻膠的溶劑蒸發(fā)掉，使光刻膠均勻地粘附在晶圓表面，而且烘干后的光刻膠涂層更薄。

6、對準

對準操作時，對精度要求極高，這絕對是對技術(shù)和設(shè)備的重大考驗。

要求對準精度為最細的線寬1/10左右，同時精度隨著芯片的制程變化。例如：5nm工藝的芯片對準精度就達到了1nm。

7、曝光

曝光就類似于照相機按快門，當紫外光對涂有光刻膠的晶圓照射時，光刻膠就發(fā)生了化學反應(yīng)。

正膠曝光部分在顯影液中被溶解，沒有曝光的膠層留下；負膠的曝光部分在顯影液中不溶解，而沒有曝光的膠層卻被溶解掉。

8、顯影

被曝光后的晶圓放入顯影液中，感光區(qū)的光刻膠就會溶解，這一步完成后，晶圓上的電路圖就顯現(xiàn)出來了。

9、豎模

顯影工序后，形成了無光刻膠的顯性圖形和有光刻膠的隱性圖形，這個圖形組合可以作為下一步的模版。

10、刻蝕

刻蝕可以選擇性地移除晶圓上的特定部分，并對邊緣輪廓修整或表面清潔等。刻蝕工藝主要有兩大類：濕法刻蝕和干法刻蝕。

刻蝕對于器件的電學性能十分重要。如果刻蝕過程中出現(xiàn)失誤，將造成難以恢復(fù)的硅片報廢。

11、去膠

以上工藝全部結(jié)束后，要把光刻膠去除，采用等離子、特殊溶劑、等方法。

這僅僅是一次操作，實際上制造芯片時，需要不斷地重復(fù)以上操作。每加入一個層級就要進行一次光刻，最終形成一個多層的立體結(jié)構(gòu)型的芯片。